摘要：化學機械拋光(CMP)作為一種超精密加工技術，在集成電路制造、計算機硬盤、微機電系統、光學元件加工等領域得到了廣泛的應用。拋光墊設計制備、拋光墊磨損、拋光墊修整均會對化學機械拋光產生影響。本文首先從拋光墊基體、拋光墊表面紋理、拋光墊結構三個方面對拋光墊設計制備相關研究進行了綜述，重點介紹了不同基體材質拋光墊的拋光性能，指出了各材質拋光墊的優缺點。其次，介紹了拋光過程及修整過程中的拋光墊磨損，對比了各研究者建立的拋光墊磨損模型，概述了拋光墊磨損監測技術的研究現狀并指出目前拋光墊磨損狀態的監測手段較為單一，融合多傳感器信號對拋光墊磨損狀態進行監測可以提高其監測精度。隨后，為進一步探究拋光墊修整對拋光性能影響，歸納了修整器結構參數和修整參數對修整效果的影響，介紹了幾種新型修整器結構并綜述了拋光墊自修整技術的研究進展。最后，總結了目前關于拋光墊設計制備、拋光墊磨損、拋光墊修整方面的研究中存在的問題，對發展前景進行了展望。

　　關鍵詞：化學機械拋光;拋光墊;設計制備;磨損;修整

　　0引言

　　化學機械拋光(CMP)借助于拋光液中化學試劑的化學腐蝕和納米磨粒的機械磨削雙重耦合作用，可以在原子水平上實現材料去除，是目前唯一能在0.35及其以下尺寸器件上同時實現局部和全局平坦化的技術，被廣泛應用于光學元件、計算機硬盤、微機電系統、集成電路等領域6]。在CMP過程中，拋光墊起到了儲存、輸送拋光液，排出廢物，傳遞加工載荷，保證拋光過程平穩進行的作用，其成本占據了CMP總成本的三分之一。

　　CMP過程中，拋光墊浸泡在拋光液中并且與工件以及磨粒發生相對運動，這將引起拋光墊性能下降甚至造成拋光墊的廢棄，制備高質量拋光墊并提高其性能穩定性勢在必行。本文綜述了CMP拋光墊研究進展，指出了目前研究中存在的不足并對CMP拋光墊的下一步研究重點進行了展望，以期為業界和相關研究人員提供參考。

　　1拋光墊設計與制備

　　拋光墊基體、表面紋理及結構是構成拋光墊的三個要素，近幾年來，研究者們分別探究了三者對拋光墊性能的影響，并通過改變基體材質、改進基體制備工藝、優化拋光墊表面紋理及結構來提高拋光墊的質量，增加其性能穩定性。

　　1.1拋光墊基體

　　基體是拋光墊的主體部分，拋光墊基體的力學性能與表面微觀結構在很大程度上影響著拋光墊拋光性能。Prasad等利用固態微孔發泡工藝(SSMF)制備了拋光墊，探究了拋光墊硬度、表面微孔尺寸以及孔隙率對正硅酸乙酯(TEOS)晶圓片的材料去除率(MRR)及表面質量的影響。研究表明，MRR會隨著拋光墊基體的硬度及孔隙率的增加而增加，降低拋光墊硬度可以明顯減少晶圓表面劃痕數量。拋光墊表面微孔尺寸越大，材料去除越均勻。Han等使用超細膠體二氧化鈰磨料對TEOS晶圓進行了化學機械拋光，探究了拋光墊表面粗糙度對MRR的影響。研究發現，當拋光墊表面粗糙度在7μm以上時，MRR約為20nm/min，在7μm以下時，MRR約為200nm/min。

　　Park等使用兩種不同類型的修整器分別獲得了兩種不同的拋光墊表面形貌并探究了其對材料去除均勻性的影響。研究結果顯示，表面形貌較為規則的拋光墊的吸水性更好，拋光液分布更加均勻，拋光性能更穩定。除了利用實驗探究拋光墊表面形貌對于拋光性能的影響，也有部分學者從理論入手探究了拋光墊表面微觀結構對拋光墊晶圓間接觸狀態及拋光液流動的影響。郭亮龍等10等通過建立磷酸二氫鉀(KDP)與拋光墊粗糙峰接觸力學數學模型，探究了化學機械拋光中機械作用的影響因素。研究結果顯示：拋光墊粗糙峰曲率半徑、孔隙率、彈性模量和摩擦系數均會影響化學機械拋光中的微機械作用。四者對表面接觸應力的影響由大到小分別是：粗糙峰平均曲率半徑、孔隙率、摩擦系數、彈性模量。

　　毛美姣等11等基于彈塑性力學理論，對工件磨粒拋光墊間的接觸狀態進行了理論分析，計算了各狀態下的磨粒壓入工件深度。研究結果表明，在完全接觸狀態下，磨粒的壓入深度與拋光墊粗糙峰的實際接觸面積成反比。曾慶勉12借助流體力學軟件Fluent探究了拋光墊表面微孔對拋光液流動的影響。研究結果顯示，拋光液流過拋光墊的粗糙表面時將會產生漩渦，當拋光墊表面孔隙較小或者較淺的時候，產生的漩渦有助于拋光液的更替，磨粒更不容易堵塞拋光墊表面微孔。拋光墊表面形貌對表面接觸應力及拋光液流動等都有影響，因此，在建立材料去除率模型時，也應該考慮拋光墊表面形貌變化的影響。

　　張朝暉等[13]對相關研究進行了綜述，并指出拋光墊粗糙峰的概率分布函數在很大程度上影響著材料去除率模型的準確性，研究者們應予以重視。改變拋光墊材質、改善拋光墊表面形貌、向拋光墊中浸漬或向拋光墊表面噴涂特殊材料均可以改善基體的力學性能及表面微觀結構，提高拋光墊的拋光性能。傳統CMP中，游離在拋光液中的磨粒易產生積聚，加工效率較低。

　　利用固結磨粒拋光墊進行拋光雖然可以獲得較高的加工效率，提高磨料利用率，但拋光墊中磨粒粘結過于牢固，磨損磨粒難以及時掉落，容易在晶圓表面產生劃痕，影響其加工質量。為了在保證材料去除率的同時減少劃痕的產生，研究者們仿照大森整等14冰凍固結SiO和水制備冰凍砂輪的方法，將磨料與拋光液直接冰凍，制備了冰凍固結磨粒拋光墊。在使用冰凍固結磨粒拋光墊進行加工時，上層磨損的磨粒由于加工過程產生的熱量從冰凍拋光墊上及時脫落，下層固結的鋒利磨粒則繼續與晶圓接觸實現材料去除，這既避免了磨粒游離帶來的加工效率低下的問題，又可以保證磨損磨粒的及時掉落，獲得較高的加工質量。

　　利用冰凍固結磨粒拋光墊，韓榮久等對微晶玻璃及單晶硅片進行了拋光，獲得了較好的拋光效果。孫玉立等20通過實驗及仿真明確了單晶硅、微晶玻璃、單晶砷等材料的低溫拋光機理，優化了加工工藝參數，并對不同槽型的冰凍固結磨料拋光墊拋光效果進行了比較。Nayak等21等分析了冰凍固結磨料拋光墊融化的影響因素，建立了拋光墊融化速度預測模型，探究了拋光墊融化速度與磨料特性以及工件、拋光墊轉速的關系，研究發現，磨粒濃度越高，粒徑越小，工件與拋光墊轉速越高，冰盤融化速度越快。

　　冰凍固結磨粒拋光墊雖然可以提高拋光效率并避免在晶圓表面產生劃痕，但是在制備此類拋光墊的過程中，由于重力作用，磨料很容易沉積在拋光液底部造成磨料分布的不均勻。為解決這個問題，夏保紅22制備了冰粒型固結磨料拋光墊。與冰凍固結磨粒拋光墊制備流程不同，制備冰粒型固結磨粒拋光墊時需先用霧化噴嘴將拋光液霧化，然后利用液氮將霧化后的拋光液冷凍成冰粒，再在模具中向獲得的冰粒施壓使之固結為一體。

　　研究結果發現，相比于冰凍固結磨料拋光盤，冰粒型固結磨粒拋光墊磨料分布更加均勻，加工效率以及加工質量都較高。邵靂23對比了冰粒型固結磨粒拋光墊、熱固性固結磨料拋光墊、游離磨料拋光墊對單晶鍺片的加工效果，并對拋光工藝參數進行了優化。王勇、湯蘇揚等2425則分別從熱力學、摩擦磨損的角度，探究了冰粒型固結磨粒拋光墊拋光效果的影響因素，進一步揭示了冰粒型固結磨粒拋光墊拋光機理。除了冰凍固結后的拋光液，聚氨酯、無紡布等也都可以作為拋光墊基體材料來對晶圓進行化學機械拋光。

　　為了研究拋光墊材質對化學機械拋光的影響，徐朝閣26]對比了聚氨酯、無紡布、合成革拋光墊的拋光效果。研究結果發現，雖然聚氨酯拋光墊和無紡布拋光墊的材料去除率均高于合成革，但是由于使用聚氨酯拋光時材料去除率下降速度非�？�，因此選擇使用無紡布拋光墊來對鈮酸鋰晶體進行化學機械拋光可以獲得更好的效果。周海等27]對比了帶絨毛的無紡布拋光墊(科晶拋光墊)、聚氨酯類拋光墊(ICl400拋光墊)、無紡布拋光墊(Suba600)的拋光效果。研究結果顯示：三種拋光墊中，科晶拋光墊的拋光效率最高，但IC1400的使用壽命最長。

　　熊偉28]則對比了聚氨酯拋光墊、聚四氟乙烯拋光墊、無紡布拋光墊對鉭酸鋰晶片的拋光效果。研究結果發現，無紡布拋光墊容納固體磨料的能力較低，拋光效率低下，聚四氟乙烯拋光墊的硬度較高，拋光效率高，但拋光后晶片表面劃痕多，聚氨酯拋光墊拋光性能最優。龔凱29]對比了Politex型阻尼布、Suba600型無紡布、LP57型聚氨酯三種材質的拋光墊對氧化鎵的拋光效果。

　　結果表明：利用Suba600對氧化鎵進行化學機械拋光雖然可以獲得最大的材料去除率，但容易在晶圓表面產生劃痕。利用阻尼布拋光墊及聚氨酯拋光墊對氧化鎵進行化學機械拋光則都可以滿足加工質量的要求，且聚氨酯的材料去除率較高。毛美姣等30]在種材質拋光墊中優選了細帆布、超纖化合布、中密人造植絨、聚氨酯化合物、聚氨酯拋光皮種適合YG8硬質合金刀片拋光的拋光墊，探究了種拋光墊在各個加工時間段的拋光效果。研究結果顯示：當使用細帆布加工40min時，材料去除率最高，為47.105nm/min;當使用細帆布加工80min時，表面粗糙度最低，為0.039。

　　在化學機械拋光過程中，改善拋光墊表面形貌也有助于提高加工質量。目前研究者們多通過改進修整方式來改善拋光墊表面形貌，除此之外，則僅有Kim等1,2]從粗糙峰形貌入手，分析了拋光墊粗糙峰形貌對晶圓劃擦的影響并指出粗糙峰半徑與粗糙峰高度標準差之比是影響晶圓劃擦的關鍵參數，利用金屬板或者金屬滾筒向粗糙峰施壓可以提高兩者比例進而減少表面劃痕數量，使MRR增加30%。目前使用的聚氨酯拋光墊基體中一般含有大量氣孔，這些氣孔在拋光過程中起到了運輸拋光液、保證化學腐蝕、排除廢棄物的作用，但是這些氣孔尺寸不一，分布不均勻，影響拋光墊的密度以及剛度，會導致拋光墊表面粗糙峰高度變化，造成表面形貌測量誤差33。

　　為解決上述問題，Tsai等4,34制備了無孔聚氨酯石墨浸漬拋光墊并探究了石墨含量對拋光墊性能的影響，研究發現相比于傳統的聚氨酯拋光墊，石墨浸漬墊修整磨損率更低，晶圓材料去除率更高，拋光墊親水性能隨著石墨含量的增加而提高。

　　Ho等35將Fe浸漬在拋光墊中，利用Fe作為催化劑來催化SiC晶圓與拋光液中之間的化學反應。研究發現，與傳統拋光墊相比，Fe與Al含量分別為1wt%和3wt%的拋光墊可以在不增加晶圓表面粗糙度的條件下使MRR提高73%。Zhou等36向拋光墊表面噴涂改性TiO，利用TiO在UV光的照射下會釋放出電子并產生空穴的性質促進CMP中化學反應的進行。實驗證明，相對于傳統拋光墊，利用該拋光墊對SiC進行拋光可以提高MRR并獲得具有原子臺階結構的低粗糙度超光滑晶圓表面。

　　1.2拋光墊表面紋理

　　拋光墊表面上的溝槽及突起圖案可以促進拋光墊表面拋光液的流動，提高拋光墊與晶圓之間的摩擦，對拋光產物的排出、拋光液利用率以及MRR有著較大的影響。部分學者通過流體動力學仿真及拋光實驗，對比了不同表面紋理的拋光墊的拋光性能。楊張一20列舉了幾種常見拋光墊表面紋理，并對比了放射狀溝槽冰盤、柵格狀溝槽冰盤、普通冰盤的拋光效果。實驗結果顯示，相比于普通冰盤，放射狀溝槽冰盤對微晶玻璃的材料去除率提高了42%，柵格狀溝槽冰盤的材料去除率提高了27%。

　　Hong等37對比了表面紋路為同心圓狀以及表面紋路為同心圓與放射狀復合紋路的拋光墊的拋光性能。研究結果顯示，相比于表面紋路為同心圓狀的拋光墊，表面紋路為復合紋路(如圖5b所示)的拋光墊上拋光液分布更加均勻，材料去除均勻性更高，但是拋光液流動較快，限制了化學反應，MRR較低。部分學者從拋光液流動均勻性、加工效率等角度出發，對拋光墊表面紋理進行了設計。

　　Li等38通過流體動力學分析設計出一種槽深為1.5mm、槽寬為2mm的螺旋狀表面紋理。研究發現，相比于放射狀紋理拋光墊，該拋光墊上流體分布更加均勻，徑向速度波動更小，利用該拋光墊加工的晶圓表面粗糙度(0.251nm)比放射紋理狀拋光墊(0.561nm)小。Li等39從拋光墊磨損的角度出發，提出了分區拋光墊的概念，并探究了最佳的區域面積比以及對應磨粒密度。

　　呂玉山等4]基于生物學的葉序理論設計了葵花籽粒結構的仿生拋光墊(如圖5d所示)，并分別研究了葉序參數對接觸壓強、晶片材料去除率、拋光液流動狀態及晶圓表面粗糙度的影響。常規拋光工藝通常需要消耗數小時或數天的時間，為了提高平面光學器件的制造效率，Li等45提出了一種晶圓材料去除率預測方法，并基于此方法確定了拋光墊表面溝槽分布及拋光時間。實驗驗證了該預測方法的可行性以及穩定性。利用該方法對光學玻璃樣品進行拋光時，只需要14分鐘就可以將其表面輪廓的峰谷值(PV)從1.17降至0.2。

　　Huey等46通過增加拋光墊溝槽深度及拋光墊厚度制備了新型拋光墊IC1010DV，該拋光墊的壽命是IC1000的兩倍。Philipossian等47通過實時監測拋光過程中的摩擦系數，探究了拋光液流速對拋光墊壽命的影響，為拋光墊表面紋理的設計提供了理論支持。研究結果顯示，增加拋光液流速可以在不影響平均材料去除率的情況下，有效延長拋光墊壽命。在探究拋光墊表面紋理對拋光墊力學性能影響方面，僅有He等48提出了基體實體層和粗糙層的剛度預測模型，并通過有限元模型以及實驗分別對其進行了驗證。研究發現，相比于常用的均勻層厚(UTL)模型，該模型對帶槽拋光墊實體層剛度的預測精度提高了20%，精確地描繪了拋光墊表面紋理對拋光墊剛度的影響，可以為拋光墊表面紋理的設計優化提供理論指導。

　　1.3拋光墊結構

　　除了優化拋光墊表面紋理，改進拋光墊的結構也可以提高拋光質量及效率。Kim等49探究了孔結構拋光墊的孔密度對CMP性能的影響。研究發現，拋光過程中，孔墊表面結構幾乎不變�？酌芏仍礁�，拋光墊晶圓接觸比越高，溝槽圖案晶圓的凹陷越明顯，表面劃痕越少�；�于普林斯頓方程，如果拋光墊彈性模量沿著徑向線性變化，那么在相同的拋光墊變形下，晶圓表面應力也沿著徑向發生線性變化，晶圓材料去除將更為均勻。

　　基于這種思路，董曉星等5053提出功能梯度拋光墊的概念，并探究了功能梯度拋光墊材料選擇原則，對功能梯度拋光墊結構進行了設計和改進。實驗結果顯示，當磨粒橡膠質量比處于15:100~50:100區間時，兩者的混合均勻性更好。相比于丙烯酸酯橡膠(ACM)為基體，以氯丁橡膠(CR)為基體的顆粒橡膠復合材料動靜態應力更一致。

　　雖然單層功能梯度拋光墊提高了晶圓材料去除均勻性，但是由于各梯度環內磨粒占比不同，各環內普林斯頓比例常數不同，材料去除均勻性仍有提高的空間。雙層功能梯度拋光墊中，上層拋光墊的出現避免了磨粒占比對比例常數的影響，與單層功能梯度盤相比，雙層功能梯度盤上各環MRR之差降低了47.75%，拋光墊耐磨性提高了38%。根據彈性接觸理論，提高拋光墊的泊松比及楊氏模量各向異性、減少拋光墊厚度均可以抑制拋光過程中晶圓邊緣應力集中現象。

　　不同于其他學者常用單面拋光實驗驗證相關理論，Statake等5457基于有限元分析及雙面拋光實驗驗證了這一理論，并提出上薄下厚、上軟下硬的拋光墊結構、較大的表面溝槽寬高比以及較小的加工過程占空比也可以有效減輕邊緣應力集中現象。對于聚氨酯拋光墊來說，拋光液只能夠存在于工件與拋光墊的縫隙中，而不能夠滲透到拋光墊內部，這將影響拋光過程中反應產物的及時排出，造成拋光墊表面孔隙堵塞，進而損傷晶圓表面，降低加工質量。Tsai等5860通過從高處噴涂乙烯醋酸乙烯熱熔膠制作了絲狀結構的拋光墊。相較于傳統拋光墊，該拋光墊表面結構更為疏松，拋光墊上拋光液流動性更好，有助于拋光副產品的排出。

　　2拋光墊磨損及狀態監測

　　CMP過程中，拋光墊與晶圓之間發生相對運動從而實現材料去除，拋光墊磨損將影響拋光墊表面形貌進而影響加工效果。近幾年來，研究者們分別探究了拋光過程及修整過程中的拋光墊磨損，對拋光墊磨損監測技術進行了研究。

　　2.1拋光墊磨損

　　拋光過程中，由于拋光墊與晶圓的相對運動，拋光墊表面粗糙峰逐漸被磨平，拋光墊將發生磨損。針對拋光過程中的拋光墊磨損，Li、唐詠凱等61,62分別分析了拋光過程中兩種工件運動方式(如表)下拋光墊的磨損，建立了拋光墊磨損模型，探究了拋光參數對拋光墊磨損均勻性的影響。Belkhir等63觀測了拋光墊磨損后拋光墊的表面形貌變化，探究了其對拋光性能的影響。研究發現，隨著拋光時間的增加，拋光墊表面出現劃痕，表面微孔形狀發生變化，磨粒以及光學玻璃碎屑在拋光墊上形成水垢。

　　拋光墊雖然在拋光開始后就出現磨損，但是前小時內拋光墊的磨損較慢。相對于晶圓形狀精度，拋光墊磨損對晶圓表面粗糙度影響較小。除了將拋光過程中拋光墊與晶圓的相對運動造成的拋光墊表面形貌變化視為拋光墊磨損，學者們也將修整過程中由于修整器修整軌跡不均勻引起的拋光墊面型變化視為拋光墊磨損。通過簡化修整過程，研究者們建立了修整過程中拋光墊磨損模型，探究了修整過程中不同修整器運動方式下拋光墊的磨損。

　　Li等64通過分區域計算拋光墊磨損量來預測修整后拋光墊面型，減少了拋光墊磨損預測所需的計算量。Nguyen等6567通過分析修整器修整軌跡及修整時間對拋光墊面型的影響建立了拋光墊磨損模型，探究了修整參數對于拋光墊磨損的影響。相比于只考慮修整軌跡的模型，該模型與實際情況更加符合。

　　在一些修整過程中，修整器由擺臂帶動做近似直線運動，修整器旋轉由拋光墊旋轉帶動。針對此種修整方式，Chen等68建立的模型中不僅僅考慮了磨粒切削軌跡分布、磨粒與拋光墊的相對速度及接觸時間對拋光墊面型的影響，也考慮了擺臂運動帶來的軌跡誤差對拋光墊面型的影響，模型的精度得到了提高。Pham等69在上述模型的基礎上，探究了修整軌跡重疊對拋光墊表面粗糙度的影響。研究結果顯示修整軌跡重疊將增大拋光墊表面粗糙度，可通過計算軌跡重疊點對拋光墊各區域的粗糙度進行預測。

　　通過簡化修整過程探究其對拋光墊磨損的影響雖然給研究者們理解拋光墊磨損提供了很好的參考依據，但是在實際加工過程中修整器磨損以及拋光墊力學性能變化都將對拋光墊磨損產生影響，利用上述模型進行的預測往往精度不高，僅能用于對拋光墊磨損引起的面型變化做定性分析。

　　2.2拋光墊磨損狀態監測

　　拋光墊磨損對加工質量、加工效率都有直接影響，在CMP過程中，一般需及時地了解拋光墊磨損狀態來確定下一步操作。依靠操作者的經驗來判斷拋光墊磨損狀態將增加加工成本，影響加工效率，判斷結果可靠性低，拋光墊磨損狀態監測技術應運而生。

　　Yin等70利用高精度測角器測量修整器在在線修整過程中的傾斜角，獲得了較為精確的拋光墊面型。Chen等71利用固定在擺動修整臂上的彩色共聚焦傳感器測量拋光墊表面高度信息，并提出拋光墊均勻性(PU)、拋光墊壽命指數(PELI)兩個指標對拋光墊性能進行評估。Chen等72則通過向拋光墊上監測元件發射光束并觀察監測元件上下表面反射形成的干涉條紋，來間接獲得拋光墊表面形貌。在Liao等73設計的表面形貌監測裝置中，拋光墊上方導軌帶動激光位移傳感器以及監測平面沿拋光墊徑向移動，監測平面被限定在傳感器正下方但其高度可隨著拋光墊表面浮動。監測平面的引入避免了拋光墊表面微孔及溝槽對測量結果的影響，提高了監測精度。

　　拋光墊磨損不僅會引起光學信號的變化，也會引起聲發射信號、力信號等信號的變化。目前已有學者利用傳感器探測出釉化的拋光墊與修整后的拋光墊在拋光過程中產生的聲發射信號、力信號等間接信號存在差異74,75，但是尚未見到有學者通過這些信號對拋光墊磨損狀態進行監測，應進一步探究拋光過程中聲發射信號、力信號等間接信號與拋光墊磨損狀態的關系，融合多傳感器信號對拋光墊磨損狀態進行監測以獲得更高的監測精度。

　　3拋光墊修整

　　雖然修整器修整軌跡不均勻會對拋光墊面型產生負面影響，但是拋光墊修整也能夠有效地去除拋光墊表面釉化區域，恢復拋光墊表面粗糙峰，CMP中，拋光墊修整不可或缺。針對拋光墊修整，近幾年，研究者們除了探究修整過程對拋光墊磨損的影響，還探究了修整過程中修整器結構、修整參數對修整性能的影響，制備了親水性固結磨粒拋光墊，實現了拋光墊的自修整。

　　4結論與展望

　　目前，國內外學者在CMP拋光墊研究方面取得了一系列進展，但隨著對加工質量、加工效率的要求越來越高，筆者認為可以對以下幾個方面進行更深入的研究。

　　(1)拋光墊的表面紋理影響著拋光液的流動及分布，進而影響著拋光質量以及拋光效率，但是目前對于拋光墊表面紋理研究多針對于特定的形狀，對表面紋理設計的理論研究較少，有必要進一步探究拋光墊表面紋理幾何參數對拋光性能的影響，建立一個完善的理論體系指導表面紋理設計。(2)目前學者們多利用光學手段直接監測拋光墊表面磨損狀態，監測手段單一，探究拋光過程中聲發射信號、力信號等間接信號與拋光墊磨損狀態的關系，融合多傳感器信號對拋光墊磨損狀態進行監測可以獲得更高的監測精度，發展前景較好。(3)雖然利用親水性聚合物作為拋光墊的基體可以實現拋光墊的自修整而不需要附加的修整器，但是拋光墊自修整性能受到拋光參數的影響，基體遇水溶脹也會引起其力學性能變化，因此需要進一步探究加工參數對自修整性能的影響，改進拋光墊材質，避免拋光墊遇水溶脹引起過大的拋光性能波動。

　　(4)相較于單面化學機械拋光，雙面化學機械拋光可以獲得更優的整體以及局部平整度加工效率更高，但是目前針對雙面化學機械拋光墊的研究較少。針對雙面化學機械拋光，探究拋光墊的性能優化方法，了解其磨損特點并改進其修整方式具有不可忽視的價值。(5)除了拋光墊的拋光效率及拋光質量，拋光墊使用壽命也是制造商們選擇拋光墊時所需要參考的一個重要指標。但由于相關的研究實驗耗時長、實驗成本大等原因，目前針對于拋光墊使用壽命的研究較少，開展拋光墊壽命研究并準確的表征拋光墊使用壽命可以為制造商們提供更多的參考，有很大的應用價值。

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　　作者：曹威1,2,鄧朝暉1,2,李重陽1,2,葛吉民1,